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NTF6P02, NVF6P02
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
3000
2400
1800
1200
C iss
C rss
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
5
4
3
2
? V DS
Q gs
Q gd
Q T
? V GS
20
16
12
8
600
C oss
C rss
1
I D = ? 6.0 A
T J = 25 ° C
4
0
10
5 ? V GS 0 ? V DS 5
10
15
20
0
0
4
8
12
16
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
10
V DD = ? 16 V
I D = ? 3.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
7
6
5
4
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
versus Gate Resistance
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4
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